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氧氩比对SnO_2/Ag/SnO_2透明导电膜光电性能的影响

         

摘要

在室温及不同的氧氩比条件下,采用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层,在载玻片衬底上制备出了SnO2/Ag/SnO2多层薄膜.用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪和紫外-可见-近红外光谱仪等表征了薄膜的电学性质和光学性质.实验结果表明:当氧氩比为1∶14时,所制得的薄膜的光电性质优良指数最大,为1.69×10-2Ω-1;此时,薄膜的电阻率为9.8×10-5Ω.cm,方电阻为9.68Ω/sq,在400~800nm可见光区的平均光学透射率达85%;并且,在氧氩比为1∶14时,利用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层在PET柔性衬底上制备出了光电性质优良的柔性透明导电膜,其在可见光区的平均光学透过率达85%以上,电阻率为1.22×10-4Ωcm,方电阻为12.05Ω/sq.

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