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潘莎; 赵辉; 任俊彦;
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室;
相位噪声; 差分压控振荡器; 频率综合器; 片上电感;
机译:用于低相位噪声和低功耗应用的宽带CMOS差分和正交压控振荡器
机译:使用0.15μm拟态高电子迁移率晶体管技术的X波段超低相位噪声差分Colpitts压控振荡器
机译:采用0.5 m E / D-PHEMT工艺的38%调谐带宽低相位噪声差分压控振荡器
机译:低相位噪声,差分调谐,1.8GHz电源VCO,在标准数字CMOS中具有ESD兼容的14dBm输出级
机译:CMOS技术中低相位噪声压控振荡器(VCO)的比较研究。
机译:28 nm CMOS LC振荡器电路拓扑中的相位噪声的比较分析:HartleyColpitts和共源交叉耦合差分对
机译:使用优化的空心螺旋电感器1.8GHz低相位噪声CMOS VCO
机译:用于相干光通信系统的相位噪声消除差分相移键控(pNC-DpsK)。
机译:具有安装有微带导体的同轴介质谐振器的低相位噪声的设备以及用于减小这种设备,特别是压控振荡器中的相位噪声的方法
机译:器件低噪声相位提供了一种安装在微带上的同轴介电谐振器,以及减少这种器件(尤其是压控振荡器)中相位噪声的方法。
机译:包括微带安装的同轴介电谐振器的低相位噪声装置,以及在这种装置中,特别是在压控振荡器中降低相位噪声的方法
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