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谷文萍; 郝跃; 张进城; 马晓华;
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
AlGaN/GaN; HEMT器件; 表面态; 势垒层陷阱; 高场应力;
机译:通过等离子体增强化学气相沉积法沉积的SiN钝化的AlGaN / GaN HEMT的等离子体诊断和器件性能
机译:SiN钝化对反向偏置应力下AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的退化模式的影响
机译:未钝化GaN / AlGaN / GaN / SiC HEMT的低电流色散和低偏置应力退化
机译:SiC上未钝化GaN / AlGaN / GaN HEMT中的热电子应力退化
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:极化库仑场散射对70nm栅长AlGaN / GaN HEMT的电性能的影响
机译:低温下栅极脉冲应力下alGaN / GaN HEmT退化的研究
机译:改善GaN / alGaN HEmT性能和可靠性的钝化技术发展
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
机译:氟化石墨烯钝化的AlGaN / GaN基HEMT器件及其制造方法
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
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