短沟道模型模拟集成电路的几何规划优化设计

李丹; 戎蒙恬; 殳国华

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探讨了几何规划在基于短沟道模型的互补金属氧化物半导体(CMOS)电路中的应用.首先采用Level 1模型得到电路的初始规划,然后将所得元件值代入Hspice仿真程序,再从仿真输出的列表文件中取出各CMOS管的静态电压电流变量和等效小信号模型参数.将它们代入以修正因子为规划变量的几何规划算法,在前一次工作点附近搜索本次的最优设计.修正后的电路再次进行Hspice仿真.几何规划和仿真反复交替进行,直到最优化的目标值稳定.模拟集成电路的仿真实例表明,算法对短沟道模型电路是有效的.

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来源
《上海交通大学学报》 |2011年第3期|354-357|共5页
作者
李丹; 戎蒙恬; 殳国华;
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作者单位

上海交通大学电子信息与电气工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类线性集成电路、模拟集成电路;
关键词
模拟集成电路; 几何规划; 短沟道模型; 最优化设计;

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