直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究

吕文中; 贾小龙; 何笑明

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直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究

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ZnO是一种新型的Ⅱ Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射。本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响。结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1∶4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性。本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜。

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来源
《人工晶体学报》 |2004年第1期|35-39|共5页
作者
吕文中; 贾小龙; 何笑明;
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作者单位

华中科技大学电子科学与技术系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
直流磁控溅射工艺; ZnO薄膜; 薄膜结构; 基片温度; c轴取向; 晶格结构; 退火; 氩氧比; 结晶质量;

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