Ni_(51)Mn_(25.5)Ga_(23.5)单晶大的自发相变应变和磁感生应变

游素琴; 武亮; 孔春阳; 马勇; 杨晓红; 崔玉亭

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通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的马氏体相变应变测量,研究了Ni51Mn25.5Ga23.5单晶的马氏体相变和磁感生应变特性。伴随马氏体相变,该单晶展现出一个应变量高达-1.62%的自发双向形状记忆效应。采用磁场下冷却的方法,在材料的马氏体相获得了一个量值高达-1.5%且可逆的磁感生应变,该值近似为零场下冷却测量得到的磁感生应变的2倍。根据单晶生长机制和NiMnGa合金形状记忆特性,对上述结果进行了讨论。

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来源
《重庆师范大学学报：自然科学版》 |2008年第2期|57-61|共5页
作者
游素琴; 武亮; 孔春阳; 马勇; 杨晓红; 崔玉亭;
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作者单位

重庆师范大学物理与信息技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TG139.6;
关键词
马氏体相变; 形状记忆效应; 磁感生应变;

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