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基于库替换技术的单粒子效应故障注入仿真

         

摘要

提出了一种新的故障注入仿真方法,研发了故障单元库替换仿真工艺库技术,与以往方法相比,该技术可以方便快速地在目标电路的所有节点上注入故障来模拟SEE,因而更贴近实际物理过程,仿真结果可以得到所有节点的敏感度信息并评价电路总体抗SEE性能,供初期芯片设计人员参考改进.同时利用C#程序和FPGA硬件加速仿真,使得故障注入更加便捷高效,注入速度达到了8.03μs/fault.

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