碳化温度对异质外延3C-SiC薄膜结晶质量及表面形貌的影响

石彪; 刘学超; 周仁伟; 杨建华; 郑燕青; 施尔畏

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本文以Si(100)为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同温度(1100～1250℃)下制备的"缓冲层"上生长了3C-SiC薄膜。结果表明,薄膜为外延生长的单一3C-SiC多型,薄膜表面呈现"镶嵌"结构特征,Si/3C-SiC界面平整无孔洞。碳化温度对薄膜的结晶质量和表面粗糙度有显著的影响,当碳化温度低于或高于1200℃时,薄膜的结晶质量有所降低,且随着碳化温度的升高,薄膜表面粗糙度呈现增大的趋势。当在1200℃下制备的"缓冲层"上生长薄膜时,可以获得最优质量的3C-SiC外延膜,其(200)晶面摇摆曲线半峰宽约为0.34°,表面粗糙度约为5.2 nm。

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来源
《人工晶体学报》 |2013年第5期|856-859|共5页
作者
石彪; 刘学超; 周仁伟; 杨建华; 郑燕青; 施尔畏;
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作者单位

中国科学院上海硅酸盐研究所;

中国科学院大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体缺陷;
关键词
3C-SiC; 碳化; 结晶质量; 缓冲层;

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