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功率VDMOSFET的优化设计

         

摘要

本文推导出在外延层穿通击穿情况下均匀掺杂外延层电阻率和厚度的关系式及使外延层理想比电阻达到最小值时电阻率和厚度的精确表达式.文中揭示了VDMOSFET 以往设设中存在的问题.提出了整体优化的方法并考虑了终端的影响.

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