Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷

蔡小五; 海潮和; 王立新; 陆江; 刘刚; 夏洋

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为研究PowerVDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对PowerMOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况。研究结果表明:在1000krad(Si)辐照下器件开启电压漂移小于2V,迁移率退化小于20%,氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态,小于2×1011cm-2。

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来源
《功能材料与器件学报》 |2008年第5期|927-930|共4页
作者
蔡小五; 海潮和; 王立新; 陆江; 刘刚; 夏洋;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微模组件;
关键词
VDMOS; 辐照; 氧化物陷阱电荷; 界面态电荷;

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