Co掺杂β-FeSi2化合物的热电性能及电子结构的第一性原理研究

李翔; 周园; 任秀峰; 年洪恩; 曹萌萌

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Co掺杂β-FeSi2化合物的热电性能及电子结构的第一性原理研究

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采用机械合金化结合后续热处理成功制备出Fe1-xCoxSi2化合物,探讨Co掺杂对化合物热电性能的影响;利用基于密度泛函理论赝势平面波方法对Co掺杂前后β-FeSi2的电子结构进行计算。结果表明:Co元素掺杂量x应控制在0～0.05之间;β-FeSi2的费米面位于价带顶,其电阻率随温度升高而降低,为非简并半导体;Co掺杂后费米面进入导带底,使其成为n型简并半导体,电阻率较掺杂前大幅度降低;本实验条件下,热电性能检测发现,当x=0.03,温度873 K时,试样的功率因子达到最大值为60μW.m-1.K-2。

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来源
《人工晶体学报》 |2012年第3期|727-732|共6页
作者
李翔; 周园; 任秀峰; 年洪恩; 曹萌萌;
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作者单位

中国科学院青海盐湖研究所;

中国科学院盐湖资源与化学重点实验室;

西宁810008;

中国科学院研究生院;

北京100049;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
Fe1-xCoxSi2; 机械合金化; 热电性能; 能带结构; 态密度;

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