氧化铁掺杂对PMnS-PZN-PZT压电陶瓷性能的影响

毛洁冰; 周静; 郑惠清; 孙华君; 陈文

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氧化铁掺杂对PMnS-PZN-PZT压电陶瓷性能的影响

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通过对晶体结构与压电、介电性能测试,探讨了Fe2O3掺杂对PMnS-PZN-PZT陶瓷压电性能的影响。结果表明,PMnS-PZN-PZT陶瓷结构位于三方、四方相共存的MPB区间,Fe2O3掺杂导致晶体三方、四方相结构含量发生变化。当Fe2O3掺杂含量为0.45wt%时,晶体结构位于准同型相区间偏四方相结构的位置,压电与介电性能达到最佳:tanδ=0.12%,d33=356pC.N-1,kp=0.60,Qm=745,在230℃以下的温度范围具有很好的频率温度稳定性。

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来源
《人工晶体学报》 |2010年第1期|72-76|共5页
作者
毛洁冰; 周静; 郑惠清; 孙华君; 陈文;
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作者单位

武汉理工大学材料科学与工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类工业用陶瓷;
关键词
PMnS—PZN-PZT压电陶瓷; 压电性能; 介电损耗; Fe2O3掺杂;

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