基于MPI的全局并行遗传算法的SOI MOS器件模型参数提取

宋文斌; 韩郑生

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基于MPI的全局并行遗传算法的SOI MOS器件模型参数提取

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提出了将全局并行遗传算法应用于模型参数提取,并应用于标准的1.2μm CMOS/SOI工艺的SOI MOS-FET器件,一次性提取BSIMSOI3模型主要的42个直流参数.实验结果表明,该方法不依赖参数初始值、精度高、效率高,降低了SOI模型参数提取工作的难度,具有很强的通用性,易于移植优化及数据拟合.

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来源
《微电子学与计算机》 |2009年第7期|261-264|共5页
作者
宋文斌; 韩郑生;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP211;
关键词
器件模型; 参数提取; 并行遗传算法; BSIMSOI模型; 消息传递接口; 全局优化策略;

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