高电容比射频/微波MEMS膜开关的理论分析和数值模拟

龙永福; 赖宗声; 朱自强

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高电容比射频/微波MEMS膜开关的理论分析和数值模拟

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建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型。由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响 ,因而能较为正确地反映开关的电容特性。用数值方法计算了影响开关电容比的因素 ,并对计算结果进行了分析和讨论。提出了使用脉冲电压作为偏置电压可以使介质膜 gj 的厚度减少到 5 0nm ,从而使开关的电容比增加到 380 0。最后。

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来源
《微波学报》 |2003年第1期|56-60|共5页
作者
龙永福; 赖宗声; 朱自强;
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作者单位

华东师范大学电子系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类各种开关;
关键词
电容比; 数值模拟; MEMS膜开关; 阈值电压; 维持电压; 电场强度;

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