VLSI的线-地电容计算方法比较

Erjch Barke; 赵洪志

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一、引言连线电阻和电容之类的寄生效应严重地影响VLSl所能达到的性能,随着芯片面积和电路复杂程度的增加。平均互连线长度也增加,因此,要在首次制作中得到合格样品,必须精确地考虑这些影响。从本质上讲,寄生电容问题是三维的。然而,三维运算代价太大。不适于VLSI。在具有足够的精度的前提下,这个问题可简化为一组二维问题。容性耦台用下面三个分量来描述: (1)线—地电容(通常指任一层上某一网络与衬底之间的电容); (2)线—线电容(同一层上两个网络之间的电容); (3)交叉电容(不同层上的两个网络之间的电容)。在先进的MOS工艺中,互连线节距接近或小于2μm(即布线间距接近或小于1μm),因而线—线电容和线—地电容相当,甚致还要大,此外,布线间距也严重影响线—地电容。然而,本文仅讨论第一个分理。因为在许多工艺(如双极工艺)中,它仍然是电容问题的主要方面。

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来源
《微电子学与计算机》 |1989年第11期|48-49|共2页
作者
Erjch Barke; 赵洪志;
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正文语种 chi
中图分类 TN470.2;
关键词
VLSI; 电容; 集成电路; 线-地电容;

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