基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高速比较器分析与设计

陈天佐; 吴玉平; 陈岚

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基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高速比较器分析与设计

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基于预放大正反馈锁存比较理论,给出了一种8bit 8Gs/s高速比较器的设计.该比较器采用预放大器结构以提高分辨率、加快比较过程,采用主从锁存器降低亚稳态发生概率,采用输出缓冲器改善输出波形、提供测试接口;在HHNEC 0.18μm SiGe BiCMOS工艺下,采用Cadence Spectre进行仿真,结果显示,该比较器精度为4mV,输出摆幅±300mV,锁存时间37ps,过驱动恢复时间22ps,功耗约57mW,表现出良好的性能.

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来源
《微电子学与计算机》 |2012年第7期|51-54|共4页
作者
陈天佐; 吴玉平; 陈岚;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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正文语种 chi
中图分类 BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;
关键词
锗硅; 高速比较器; 主从锁存器; 精度;

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