大电容负载下的高速、低功耗动态摆率增强电路研究

叶珍华; 杨海钢; 李凡阳; 程小燕; 尹韬; 刘飞

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本文提出了一种针对大负载电容的高速、低功耗动态摆率增强电路设计方法.电路通过直接监测主运算放大器输入端的差分电平变化,实现对主放大器的动态电流补偿,较大幅度地提高了摆率增强效果.通过改变核心MOS管尺寸,可以实现对摆率增强电路开启阈值的调节.通过引入开关控制,可以实现对摆率增强电路的及时"休眠",提高电路的能效.动态摆率增强电路与主运算放大器为并行关系,因此适用于所有结构的运算放大器,通用性强.电路采用0.35μm商业CMOS工艺实现,有效芯片面积0.15×0.15mm2.采用5V单电源供电,测试结果表明,本电路针对400pF大负载电容,可以实现7V/μs的正向摆率及10V/μs的负向摆率,功率消耗6.25μW.该方法与传统的电路结构相比,工作效率显著提高.

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |2012年第12期|75-79|共5页
作者
叶珍华; 杨海钢; 李凡阳; 程小燕; 尹韬; 刘飞;
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作者单位

中国科学院电子学研究所;

中国科学院研究生院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
高速; 低功耗; 动态摆率增强电路;

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