热压氮化硅β相晶体生长界面结构及生长机制研究

王幼文; 江仲华; 葛曼珍; 杨辉

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热压氮化硅β相晶体生长界面结构及生长机制研究

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用高分辨电镜观察了热压氮化硅中β相晶体生长界面的结构特点,用链柱结构描述并比较了α和β氮化硅晶体结构的异同,指出了β氮化硅晶体在α氮化硅品格中生长可以通过部分原子的迁移实现。添加剂离子进入第二类α链柱中大的间隙及在c轴方向的优先扩散,促进第二类链柱的转变。生长过程中某个β(100)晶面组可以先形成。出现二维有序的过渡性溶胀状态,同时进一步促使β晶粒呈细长柱状生长。从同一α晶体中生长的β晶体具有完全相同取向时,容易在棱柱面方向聚结。当β氮化硅与M-Si-O-N液相接触,螺线生长机制起主要作用。

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来源
《硅酸盐学报》 |1993年第5期|393-398|共6页
作者
王幼文; 江仲华; 葛曼珍; 杨辉;
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作者单位

浙江大学分析测试中心;

浙江大学材料科学和工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TQ174.758;
关键词
氮化硅; 晶体生长; 电镜; 热压; 陶瓷;

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