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MOSFET的热载流子效应及其表征技术

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摘要

介绍了热载流子引起MOS器件退化的机制及其退化模型、最大应力模式和典型的寿命预测模型等,并对器件退化的表征技术进行了概述。

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来源
《微电子学》 |2003年第5期|432-438|共7页
作者
赵要; 胡靖; 许铭真; 谭长华;
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作者单位

北京大学微电子学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
MOSFET; 热载流子效应; 可靠性; 表征技术; 退化模型; 寿命预测; 场效应晶体管;

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