直流反应磁控溅射法制备ZnO:Zr透明导电薄膜(英文)

张化福; 类成新; 刘汉法; 袁长坤

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以Zn∶Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶Zr透明导电薄薄膜。研究了沉积压强对ZnO∶Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响。实验结果表明所制备的ZnO∶Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。沉积压强对ZnO∶Zr薄膜的晶化程度、形貌、生长速率和电阻率影响很大,而对其光学性能如透光率、光学带隙及折射率影响不大。当沉积压强为2 Pa时,ZnO∶Zr薄膜的电阻率达到最小值2.0×10-3Ω·cm,其可见光平均透过率和平均折射率分别为83.2%和1.97。

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来源
《人工晶体学报》 |2012年第4期|977-981|共5页
作者
张化福; 类成新; 刘汉法; 袁长坤;
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作者单位

山东理工大学理学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体;材料;
关键词
直流反应磁控溅射; ZnO∶Zr薄膜; 透明导电薄膜; 沉积压强;

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