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MBE生长AlGa AsSb/InGa AsSb材料的应变控制

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摘要

基于理论计算和实验 ,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究。结果表明 ,通过对材料中的As组份调节 ,可以对材料中的应变进行控制 ,达到良好的应变补偿效果 ,实验结果和理论计算相当吻合。

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来源
《稀有金属》 |2004年第3期|530-532|共3页
作者
唐田; 张永刚; 郑燕兰; 唐雄心; 李爱珍;
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作者单位

中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光电子技术、激光技术;半导体技术;
关键词
InGaAsSb; AIGaAsSb; 应变;

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