不同温度退火的HfTiON栅介质MOS电容电特性研究

陈卫兵; 徐静平; 李艳萍; 许胜国; 邹晓

首页> 中文期刊> 《固体电子学研究与进展》 >不同温度退火的HfTiON栅介质MOS电容电特性研究

不同温度退火的HfTiON栅介质MOS电容电特性研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在N2/O2气氛中,使用Ti、Hf靶共反应溅射在衬底Si上淀积一种新型栅介质材料HfTiON,随后分别在N2气氛中600°C和800°C退火2min。电容电压(C-V)特性和栅极漏电流特性测试结果表明,800°C快速热退火(RTA)样品表现出更低的界面态密度、更低的氧化物电荷密度和更好的器件可靠性,这是由于在800°C下的RTA能有效地消除溅射生长过程中导致的损伤,形成高质量、高可靠性的介质/Si界面。

著录项

来源
《固体电子学研究与进展》 |2008年第1期|142-144|共4页
作者
陈卫兵; 徐静平; 李艳萍; 许胜国; 邹晓;
展开▼
作者单位

华中科技大学电子科学与技术系;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体集成电路（固体电路）;
关键词
HfTiON; 高k栅介质; 快速热退火; 共反应溅射; 栅极漏电流;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 不同气体退火La_2O_3栅介质Ge MOS电容的电特性 [J] . 刘红兵 ,陈娟娟 . 固体电子学研究与进展 . 2011,第3期
2. 表面钝化对HfTiON栅介质Ge MOS电容性能的影响 [J] . 邹晓 ,徐静平 ,黎沛涛 . 电子器件 . 2008,第004期
3. 湿N_2退火HfTiO和HfO_2栅介质Ge MOS电特性研究 [J] . 邹晓 ,徐静平 ,朱秋玲 . 固体电子学研究与进展 . 2007,第2期
4. LaTiO高k栅介质Ge MOS电容电特性及Ti 含量优化∗ [J] . 徐火希 ,徐静平 . 物理学报 . 2016,第003期
5. LaON钝化层改善HfTiO高k栅介质Ge MOS电容电特性(英文) [J] . 徐火希 ,徐静平 . 固体电子学研究与进展 . 2016,第1期
6. Al2O3栅介质层AlGaN/GaN MOS-HFET器件制备及电学特性研究 [C] . Zhen Shen ,沈震 ,Jincheng Zhang . 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 . 2012
7. Y2O3/SiO2/4H-SiC堆栈栅介质MOS电容特性研究 [A] . 王旭 . 2017

不同温度退火的HfTiON栅介质MOS电容电特性研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅