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李帅; 蔡小五; 隋振超;
中国科学院大学微电子学院;
北京100029;
中国科学院微电子研究所;
中芯国际集成电路制造有限公司;
北京100176;
锗硅外延; 薄膜堆叠层; 器件性能; PMOS器件;
机译:采用28nm高 $ k $ tex-math> inline-formula> /金属门CMOS工艺的嵌入式SCR提高pMOS器件的ESD鲁棒性
机译:与B_2H_6 PLAD优化的锗共植入物,可提供更好的先进PMOS器件性能
机译:在盖硅/硅锗/硅(001)上进行硅化镍过程中外延硅锗层的应变弛豫和锗扩散
机译:300mm SiGe外延工艺中间歇雾度的研究及其对PMOS器件性能的影响
机译:硅和硅锗外延用于制造基于电子自旋的量子计算机的量子点器件。
机译:优化的制造独立式硅纳米光子器件的工艺
机译:掺锗对IV组光子集成电路中硅锗无源器件光学性能的影响
机译:稀土掺杂硅和硅锗合金的低温外延生长
机译:使用外延生长的硅碳(SiC)或硅锗(SiGe)改善器件性能的方法
机译:制备外延硅锗层的方法和包括外延砷原位掺杂的硅锗层的集成半导体器件
机译:制备外延锗硅锗外延硅层和集成半导体器件的方法。
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