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具有光敏下陷包层的B/Ge共掺光敏光纤的研制

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摘要

紫外光纤光栅的包层模造成的损耗限制了光栅在波分复用系统中的使用。文章分析了同时具有下陷内包层和光敏内包层的光敏光纤可以极大地抑制包层模耦合，并采用ＭＣＶＤ工艺制作出了硼和锗共掺（Ｂ／Ｇｅ）的带光敏的下陷内包层的光纤，经写入紫外光纤光栅证实该光敏光纤确实极大地抑制了包层模耦合。

著录项

来源
《压电与声光》 |2000年第4期|222-224|共3页
作者
龚岩栋; 关雅莉; 简水生;
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作者单位

北方交通大学光波技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光纤元件;
关键词
光纤; 光栅; 光敏性; 包层模; 耦合;

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