应用于超低电压下的SRAM存储单元设计

刘冰燕; 蔡江铮; 黑勇

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应用于超低电压下的SRAM存储单元设计

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提出一种能够工作在低电压下的SRAM存储单元,单元采用8T结构,在传统6T结构的基础上增加两个串联的NMOS构成读出端口,传统6T结构中背靠背反相器采用高阈值晶体管.采用Smic130nm工艺仿真结果显示,提出的8T结构能够在最低0.3V下正常操作,单元的读写噪声容限,保持噪声容限,相比传统6管结构显著提升,并且低电压下静态功耗方面均比传统6管结构降低60%~70%.

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来源
《微电子学与计算机》 |2016年第9期|15-18|共5页
作者
刘冰燕; 蔡江铮; 黑勇;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
随机静态存储器(SRAM); 低电压; 低功耗; 存储单元; 多阈值;

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