考虑工艺偏差的容软错误锁存器设计

黄正峰; 申思远; 王志

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随着集成电路工艺尺寸的不断降低,CMOS电路越来越容易受到单粒子效应的影响并产生软错误.为了降低电路软错误率,提出一种高可靠的容软错误锁存器.该锁存器采用分离反相器P、N管栅极的方法构建内部冗余存储节点使其对SEU完全免疫,并且进行了滤波设计使其可以屏蔽SET.HSPICE的仿真结果表明,与其他加固结构相比,该锁存器在综合考虑容错性能和开销时有明显的优势,而且受到工艺偏差和温度的影响较小.

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来源
《微电子学与计算机》 |2015年第6期|15-21|共7页
作者
黄正峰; 申思远; 王志;
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作者单位

合肥工业大学电子科学与应用物理学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
锁存器; 软错误; 单粒子效应; 工艺偏差;

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