异质外延MgO/SrTiO_3薄膜中界面应力研究

郑亮; 张鹰; 李金隆; 蒋书文; 姬洪; 艾万勇; 陈寅; 李言荣

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本文利用激光分子束外延 (LMBE)技术在SrTiO3 (10 0 )单晶基片上外延生长MgO薄膜 ,同时又在MgO(10 0 )单晶基片上外延生长SiTiO3 (STO)薄膜。通过反射高能电子衍射 (RHEED)仪原位实时监测薄膜生长 ,研究薄膜的生长过程。并结合X射线衍射 (XRD)仪来分析在不同的生长条件下 ,不同应力对薄膜外延生长的影响。在压应力情况下 ,MgO薄膜在STO基片上以单个晶胞叠层的方式生长 ,即以“CubiconCubic”方式进行外延 ;在张应力情况下 ,由于膜内位错较多 ,STO薄膜在MgO基片上以晶胞镶嵌的方式进行生长 ,即以“Mosaic”结构进行外延 ;提高生长温度 ,可以减少膜内位错 ,提高外延质量 ,使STO薄膜在MgO基片上以较好的层状方式外延生长。

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来源
《真空科学与技术学报》 |2005年第1期|10-13|共4页
作者
郑亮; 张鹰; 李金隆; 蒋书文; 姬洪; 艾万勇; 陈寅; 李言荣;
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作者单位

电子科技大学微电子与固体电子学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜技术;材料;
关键词
薄膜生长; 基片; 外延生长; 界面应力; 单晶; 晶胞; 位错; 异质外延; 叠层; 反射高能电子衍射;

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