一种DC-6GHz的GaAs PHEMT宽带低插入损耗单刀双掷开关

刘宇辙; 梁晓新; 万晶; 阎跃鹏

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一种DC-6GHz的GaAs PHEMT宽带低插入损耗单刀双掷开关

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利用稳懋0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了一款宽带低插入损耗的单刀双掷(SPDT)开关芯片.该开关在传统串并联结构的基础上,考虑了封装引入的键合线电感效应,并利用键合线电感,优化了开关的射频性能.同时分析了串并联结构开关的功率容量与偏置点的关系,把开关偏置在最佳偏置点,能显著提升功率容量.所设计的开关,在DC-6GHz范围内,插入损耗小于0.55dB,隔离度大于24dB.在(-7.5V/7.5V)控制电压下,输入1dB压缩点大于34dBm,可用于6GHz频率范围内的各种应用.提出的利用键合线提升开关射频性能的思想,可用于指导开关及其封装的设计.

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来源
《微电子学与计算机》 |2016年第3期|1-5|共6页
作者
刘宇辙; 梁晓新; 万晶; 阎跃鹏;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体管电路;
关键词
射频开关; 单刀双掷(SPDT); PHEMT; 低插入损耗;

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