热辐射透过百分数对界面形状的影响

曹余惠

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热辐射透过百分数对界面形状的影响

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从同一引上法生长装置，在完全相同的生长条件下，生长了不同掺质的凸界面的钇铝石榴石系列晶体：ＹＡＧ，Ｔｍ∶ＹＡＧ，Ｎｄ∶ＹＡＧ，（Ｃｅ，Ｎｄ∶ＹＡＧ），（Ｃｒ，Ｔｍ∶ＹＡＧ）和（Ｃｒ，Ｔｍ，Ｈｏ∶ＹＡＧ）。晶体的凸度（凸界面锥体的高度和晶体半径之比）与晶体对熔体热辐射透过百分数有关，透过百分数大，通过晶体辐射出的能流大，对流熔体进入晶体下方冷却快，液流弯曲大，晶体凸度大；透过百分数小，晶体凸度就小。相应于这个透过百分数的透过系数大的晶体，由于Ｔ／ｘ大，仅能以大的凸度（自然对流）或大的凹度（强迫对流）生长，在转速适当时，易于在晶体首部出现明显的界面翻转。在温度时间特性曲线拐点之前，随晶体长度的增加，由于透过百分数的增大，将使界面凸度变小。

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来源
《人工晶体学报》 |1996年第4期|286-290|共5页
作者
曹余惠;
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作者单位

中国科学院安徽光学精密机械研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN244.03;
关键词
钇铝石榴石; 引上法晶体生长; 激光晶体; 热辐射;

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