不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响研究

熊伟; 储向峰; 董永平; 毕磊; 叶明富; 孙文起

首页> 中文期刊> 《人工晶体学报》 >不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响研究

不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文制备了几种含不同磨料(SiC、Al2O3、不同粒径SiO2)的抛光液,通过纳米粒度仪分析磨料粒径分布,采用原子力显微镜观察磨料的粒径大小。研究了不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光(CMP)的影响,利用原子力显微镜检测抛光前后蓝宝石晶片表面粗糙度。实验结果表明,在相同的条件下,采用SiC、Al2O3作为磨料时,材料去除速率与表面粗糙度均不理想;而采用含1%粒径为110 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率最高为41.6 nm/min,表面粗糙度Ra=2.3 nm;采用含1%粒径为80 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率为36.5 nm/min,表面粗糙度最低Ra=1.2 nm。

著录项

来源
《人工晶体学报》 |2013年第6期|1064-1069|共6页
作者
熊伟; 储向峰; 董永平; 毕磊; 叶明富; 孙文起;
展开▼
作者单位

安徽工业大学化学化工学院;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类表面处理;
关键词
蓝宝石; 化学机械抛光; 去除速率; 表面粗糙度; 磨料;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 两性离子表面活性剂对A向蓝宝石晶片化学机械抛光的影响 [J] . 陈国美 ,杜春宽 ,倪自丰 . 现代制造工程 . 2020,第012期
2. 阳离子表面活性剂对A向蓝宝石晶片化学机械抛光效率的影响 [J] . 白亚雯 ,陈国美 ,滕康 . 人工晶体学报 . 2018,第3期
3. 络合剂对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响 [J] . 周腾腾 ,朱勇军 ,唐凤霞 . 广州化工 . 2015,第023期
4. 络合剂对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响 [J] . 熊伟 ,白林山 ,储向峰 . 机械科学与技术 . 2014,第007期
5. 金刚石在6H-SiC单晶片游离磨料化学机械抛光中的影响 [J] . 张竹青 ,罗玉梅 ,张翠杰 . 福建质量管理 . 2016,第001期
6. 阳离子表面活性剂对A向蓝宝石晶片化学机械抛光效率的影响 [C] . 白亚雯 ,倪自丰 ,滕康 . 第十九届中国磨粒技术学术会议 . 2017
7. 蓝宝石晶片化学机械抛光工艺与实验研究 [A] . 胡扬轩 . 2018

不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅