双有机取代基TGS系列晶体生长与性能的研究

李波; 王希敏; 臧和贵; 肖卫强; 常新安; 江少林; 张克从

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采用水溶液缓慢降温生长了一系列双有机取代基TGS晶体。系统地研究了此一系列晶体的生长形态 ,并分别与纯TGS的作了对比。测定了所生长晶体的单位晶胞参数、热释电性能参数 (热释电系数、介电常数、介电损耗、居里温度、自发极化强度及品质因子等 )、电滞回线和内偏压场。实验结果发现 :双有机取代基均成功地进入了晶体。晶体的生长形态、热释电性能、铁电性能均随双有机取代基种类以及浓度的变化而发生变化。探讨了双有机取代基对晶体生长形态、晶体热释电和铁电性能的影响机制 ,提出了掺质分子本身的特性和掺质中的功能基团是影响TGS晶体生长形态与性能的两大主要因素。晶体性能测试结果表明 ,多种双有机取代基TGS系列晶体性能较纯TGS晶体的有显著的提高 ,诸如 :掺质为 5 %L α 丙氨酸 + 5 %正丙醇和掺质为 5 %L α 丙氨酸 + 5 %异丙醇胺的TGS晶体的介电常数很小 ,品质因子约为纯TGS晶体的 3倍 ;5 %L α 丙氨酸 + 5 %正丙醇和掺 5 %L α 丙氨酸 + 5 %乳酸的TGS晶体的热释电系数是纯TGS晶体的 2倍左右 ,品质因子也变大。可见双有机取代基TGS系列晶体是一类有应用前景的热释电晶体材料 ,值得进一步更深入地研究。

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来源
《人工晶体学报》 |2000年第s1期|107-107|共1页
作者
李波; 王希敏; 臧和贵; 肖卫强; 常新安; 江少林; 张克从;
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作者单位

北京工业大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长;
关键词
TGS晶体; 热释电材料; 溶液晶体生长;

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