一种适用于FinFET单存储单元的高效的动态故障测试算法

桑胜男; 张立军; 郑坚斌; 彭增发

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一种适用于FinFET单存储单元的高效的动态故障测试算法

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FinFET作为现在最前沿的晶体管技术,在嵌入式存储器上得到了广泛应用.但是,新的工艺也带来了新的缺陷.Synopsys公司通过故障建模及测试发现:FinFET存储器比平面存储器对动态故障更敏感.而经典的测试算法仅仅针对静态故障.目前关于动态故障的测试算法极少,并且复杂度很高.因此,本文提出了一种改进的动态故障测试算法,该算法能够覆盖所有连续两次敏化操作的单单元动态故障.

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来源
《微电子学与计算机》 |2019年第4期|17-22|共6页
作者
桑胜男; 张立军; 郑坚斌; 彭增发;
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作者单位

苏州大学;

苏州兆芯半导体科技有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
SRAM; March算法; 动态故障; 故障原语; MBIST;

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