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MOS器件辐照过程和辐照后效应模拟

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摘要

模拟MOS器件脉冲电离辐射响应和长时间恢复效应.假设隧道电子从硅进入氧化层和界面态的建立是辐射效应的恢复机理.在整个退火恢复期,采用卷积模型并考虑了栅偏置压的效应.模拟结果表明:退火过程所加栅偏压的大小以及隧道电子效应与建立的界面态所占比例的不同影响器件的恢复率.

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来源
《计算物理》 |2007年第1期|109-115|共7页
作者
何宝平; 张凤祁; 姚志斌;
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作者单位

西北核技术研究所;

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正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
电离辐射; 界面态; 退火; 模拟;

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