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一种基于0.35μm CMOS工艺的1.2GHz锁相环

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摘要

针对数据转换器的应用,设计并实现了一种高速高性能锁相环电路。该锁相环采用Chartered 0.35μm CMOS工艺进行制作。测试结果显示,在3.3 V工作电压下,电路在200 MHz^1.2 GHz频率下能可靠地工作。电路芯片面积为0.72 mm2,功耗为30 mW。

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来源
《微电子学》 |2009年第4期|496-498|共3页
作者
杨力; 蒋春敏; 荆友枫;
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作者单位

四川电力职业技术学院;

成都电子机械高等专科学校;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
锁相环; 压控振荡器; 数据转换器;

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