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低温CVDSiO_2在集成电路表面保护中的应用

         

摘要

本文介绍采用国产BD-101半导体表面钝化台获得厚度均匀、重复性好的低温CVD(化学汽相淀积)SiO_2膜的工艺条件。提出新的SiO_2腐蚀液,解决了腐蚀SiO_2时铝表面发黄变质的问题。考核结果表明,采用低温CVD SiO_2表面保护技术对提高集成电路成品率、可靠性、降低生产成本有显著效果。

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