C_(60)与金刚石薄膜成核关系的研究

刘波; 王豪

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采用热丝化学气相沉积法在覆盖C_(60)膜的硅基片上沉积金刚石膜，研究了金刚石膜的成核与生长。实验结果表明，金刚石的成核密度可达1×10~6cm^（-2），利用这种方法可实现衬底无损淀积金刚石膜。C_(60)之所以能够促进金刚石成核，我们认为主要与C_(60)分子本身独特的结构及H原子的激活作用有关。同时，高温下C_(60)分解后残留的石墨等碳碎片以及C原子与衬底Si反应生成的SiC都可作为金刚石的成核位。

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来源
《光电子技术》 |2000年第2期|116-121|共6页
作者
刘波; 王豪;
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作者单位

中国科学院上海光学精密机械研究所;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.18;
关键词
C60; 金刚石薄膜; 成核;

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