微波反射光电导衰减法测量InGaAs吸收层的均匀性

吕衍秋; 王妮丽; 庄春泉; 韩冰; 李向阳; 龚海梅

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微波反射光电导衰减法测量InGaAs吸收层的均匀性

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外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要。用微波反射光电导衰减法(-μPCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础。在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致。寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小。-μPCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要。

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来源
《半导体光电》 |2006年第5期|551-555|共5页
作者
吕衍秋; 王妮丽; 庄春泉; 韩冰; 李向阳; 龚海梅;
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作者单位

中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外技术及仪器;
关键词
均匀性; InGaAs; 载流子寿命; 焦平面阵列; μ-PCD技术;

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