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单电子晶体管I-V特性数学建模

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基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。

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来源
《微电子学与计算机》 |2003年第9期|76-78|共3页
作者
孙铁署; 蔡理; 陈学军;
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作者单位

空军工程大学工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
单电子晶体管; I-V特性; 数学建模; 隧穿电流; 单电子电路; 计算机模拟;

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