CMOS运算放大器电离辐照的后损伤效应

陆妩; 任迪远; 郭旗; 余学锋; 张军; 郑毓峰

首页> 中文期刊> 《微电子学》 >CMOS运算放大器电离辐照的后损伤效应

CMOS运算放大器电离辐照的后损伤效应

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

介绍了CMOS运算放大器经60Coγ辐照及辐照后在不同温度下随时间变化的实验结果,并通过对差分对单管特性和电路内部各单元电路损伤退化的分析,探讨了引起电路"后损伤"效应的原因。结果表明,由辐照感生的氧化物电荷和界面态的消长及差分对管的不匹配,是造成电路继续损伤劣化的根本原因。对于CMOS运算放大器电路,在抑制辐照感生的氧化物电荷和界面态增长的同时,改善电路间的对称性和匹配性,对提高电路的抗辐射能力是至关重要的。

著录项

来源
《微电子学》 |2003年第2期|102-104|共4页
作者
陆妩; 任迪远; 郭旗; 余学锋; 张军; 郑毓峰;
展开▼
作者单位

中国科学院新疆物理研究所;

新疆大学;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN722.77;
关键词
CMOS线性电路; 运算放大器; 电离辐照; 后损伤效应;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 高速CMOS电路电离辐照损伤的剂量率效应 [J] . 郭旗 ,陆妩 . 核技术 . 1998,第008期
2. 中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离辐射翻转效应实验研究 [J] . 刘岩 ,陈伟 ,杨善潮 . 原子能科学技术 . 2014,第0Z1期
3. 注氟CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性 [J] . 陆妩 ,郭旗 ,余学锋 . 核技术 . 2003,第004期
4. 两种不同工艺CMOS运算放大器的电离辐照响应特性 [J] . 陆妩 ,郭旗 ,任迪远 . 固体电子学研究与进展 . 2000,第4期
5. 栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系 [J] . 陆妩 ,任迪远 ,郭旗 . 核技术 . 2005,第003期
6. 中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离射翻转效应实验研究 [C] . LIU Yan ,刘岩 ,陈伟 . 北京核学会第十届（2014）核应用技术学术交流会 . 2014
7. 锆合金带电离子辐照效应及氦泡演化行为研究 [A] . 申华海 . 2015

CMOS运算放大器电离辐照的后损伤效应

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅