空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响

曹国华; 关敏; 曹俊松; 李林森; 曾一平

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空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响

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分别以CuPc、C60和C60/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq3/LiF/Al结构有机电致发光器件(HIL是空穴注入层)。相比于单层C60注入层器件,由于C60/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被提高了96%和142%(10V电压下)。尽管CuPc器件的电流密度和亮度最大,但是C60/CuPc结构器件因改善了空穴和电子的注入平衡,器件的效率得到提高,最大效率为2.8cd/A。C60厚度从2nm增加到5nm后,器件性能急剧降低。

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来源
《半导体技术》|2008年第S1期|390-392|共3页
作者
曹国华; 关敏; 曹俊松; 李林森; 曾一平;
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作者单位

中国科学院半导体研究所新材料部;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN383.1;
关键词
有机电致发光; 空穴注入; 异质结;

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