一种2.45GHz高线性度CMOS功率放大器设计

李聪; 任志雄; 万美琳; 韩爽; 戴葵

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一种2.45GHz高线性度CMOS功率放大器设计

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设计了一种带电容补偿的2.45GHz高线性度、低功耗CMOS功率放大器(PA).电路设计采用了差分结构,工作在AB类放大状态下.驱动级采用共源共栅结构,为下一级提供大的电压输出摆幅,功放级采用共源结构,负载采用LC谐振网络,提供大的输出功率.此外,设计从MOS管级对PA进行了优化,提出了PMOS管电容补偿技术,通过补偿栅源电容(Cgs),使得三阶交调失真(IMD3)减小了10dBc,从而提高了PA的线性度,并实现低功耗.电路采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计仿真,结果表明:在2.45GHz工作点处,PA的输入反射系数小于-20dB,功率增益为25dB,功率附加效率(PAE)为27%,三阶交调失真小于-42dBc.

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来源
《微电子学与计算机》 |2015年第4期|65-69|共5页
作者
李聪; 任志雄; 万美琳; 韩爽; 戴葵;
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作者单位

华中科技大学光学与电子信息学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN722.75;
关键词
功率放大器; 射频; 三阶交调失真; 线性度提高; 电容补偿; 低功耗;

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