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叶水驰; 鲍海飞; 蓝慕杰;
哈尔滨工业大学航天电子与光电工程系;
掺杂; 晶化; 微裂纹; 硒; 薄膜; 锑; 非晶态;
机译:非晶半导体3As2Se3·2Sb2Se3薄膜。二。电学特性
机译:通过对通过溅射工艺制备的富硒非晶Sb_2Se_3薄膜进行退火处理,提高了Sb_2Se_3 / CdS太阳能电池的开路电压
机译:非晶Sb2Se3和Sb2Se3:Sn薄膜的光电导性
机译:非晶Sb {sub} 2se {sub} 3和sb {sub} 2se {sub} 3:sn薄膜的负光电导性
机译:掺杂对非晶态As2Se3的电学和光学性质的影响
机译:非晶态Ga-Sb-Se薄膜的质谱研究
机译:单晶和非晶sb2se3的电子结构。
机译:三元GE,SE,SB和GE,SE,TE非晶态玻璃成分和使用它们的红外探测器
机译:改变组成А100-х sub>Вх Sub>(А=Р,As,Sb,Bi和B的二元玻璃状硫族化物薄膜的定量组成的测定方法= S,Se,Те)
机译:使用非晶态AS40SE25S25GE10薄膜进行光刻胶
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