首页> 中文期刊> 《微电子学与计算机》 >TiSi_2膜的制备及性质

TiSi_2膜的制备及性质

         

摘要

本文报道了用PECVD法制备硅化钛膜,经750℃、30min退火后,最低电阻率达23.8μΩ·cm。经AES分析表明,退火后硅和钛的组分比为2:1。x射线衍射分析表明,该膜是稳定的TiSi_2结构。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号