大型CaF_2单晶生长和评价

崔承甲; 小川智哉

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文叙述了利用B-S法生长CaF_2晶体时,控制坩埚锥部的固液界面而获得大块单晶的方法。B-S法生长的晶体往往需要用退火的方法清除残余应力。我们发现为消除残余应力存在一个最佳的退火温度;该温度低于通常的退火温度。比较了用引上法和B-S法生长的CaF_2晶体的位错密度分布;引上法非常类似于半导体的情况。本文还分析了CaF_2晶体中由CaO或CaS形成的光散射体及其择优沉积规律,并讨论了控制这些光散射体的方法。

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来源
《人工晶体学报》 |1991年第1期|46-54|共9页
作者
崔承甲; 小川智哉;
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作者单位

中国科学院长春光学精密机械研究所;

学习院大学理学部;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O614.231;
关键词
氟化钙; 晶体生长; 晶体; 布里奇曼法;

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