非痴呆帕金森病短时记忆障碍的事件相关电位研究

张冠群; 孙江玲; 石昕; 孙相如

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非痴呆帕金森病短时记忆障碍的事件相关电位研究

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目的　评价事件相关电位对非痴呆帕金森病短时记忆障碍诊断的临床价值。方法　对 2 4例非痴呆帕金森病患者 (病例组 )和 30例健康受试者 (对照组 )进行短时记忆测试 ,同时分别完成听觉经典Oddball序列、视觉非经典Oddball序列事件相关电位检查。结果　经典Oddball序列诱发的P30 0潜伏期、波幅与非经典Oddball序列诱发的P45 0潜伏期比较 ,两组间无明显差异 (P >0 .0 5 ) ,病例组P45 0波幅〔( 2 7.0± 3.9) μV〕较对照组〔( 39.7± 6.1) μV〕明显降低 (P <0 .0 5 ) ,且与记忆商值呈正相关 (r =0 .93,P <0 .0 5 )。结论　应用某些特殊诱发模式 ,事件相关电位对短时记忆障碍的诊断有一定的临床价值。

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来源
《现代医学》 |2001年第5期|288-290|共3页
作者
张冠群; 孙江玲; 石昕; 孙相如;
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作者单位

东南大学医学院附属徐州医院神经内科;

北京大学第一医院神经内科;

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正文语种 chi
中图分类脑器质性精神障碍;
关键词
痴呆; 帕金森病; 短时记忆障碍; 事件相关电位;

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