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MOCVD TMG-AsH_3-H_2和TMG-AsH_3-He体系的热力学平衡分析

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本文根据化学热力学平衡理论,建立了完整的计算方法,对MOCVD TMG-AsH_3-H_2和TMG-AsH_3-He体系的均相与异相化学反应平衡条件下42个气相杨种的分压随温度和V/Ⅲ比的变化进行了细致的计算和比较,分析了生长参数所引起的气相分压的改变对系统的质量输运、掺杂特性及材料质量的影响。

著录项

来源
《人工晶体学报》 |1991年第1期|64-69|共6页
作者
刘立强; 任红文; 蒋民华;
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作者单位

山东大学晶体材科研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类有机半导体化学;
关键词
MOCVD; 半导体; 汽相沉积;

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