980nm半导体激光器远场特性的优化

邹德恕; 廉鹏; 张丽; 王东凤; 杜金玉; 刘莹; 韩金茹; 徐晨; 高国; 沈光地

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制作小功率半导体激光器时 ,为了减小阈值电流 ,提高斜率效率 ,一般都采用深腐蚀法形成脊形结构以克服电流横向扩展。但是由于工艺的原因 ,往往使得激光器远场特性恶化 ,特别是水平发散角θ//形成多瓣。研究发现这与光刻工艺有着重要关系 ,并利用自对准自然解理边形成TiAu欧姆接触方法克服了此现象 ,改善了远场特性。

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来源
《半导体光电》 |2002年第4期|259-261|共3页
作者
邹德恕; 廉鹏; 张丽; 王东凤; 杜金玉; 刘莹; 韩金茹; 徐晨; 高国; 沈光地;
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作者单位

北京工业大学光电子技术实验室;

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正文语种 chi
中图分类半导体激光器件;
关键词
半导体激光器; 远场特性; 自对准; 自然解理边;

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