首页> 中文期刊> 《微电子学与计算机》 >InGaAs／AlAs双势垒RTD单片高速逻辑IC的研制

InGaAs／AlAs双势垒RTD单片高速逻辑IC的研制

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文叙述一种新型的基于ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＡＳ双势垒ＲＴＤ单片高速逻辑集成电路的设计和制造技术。由该技术产主的Ｓｃｈｏｔ－ｔｋｙ／ＲＴＤ集成双稳开关已工作到３ＧＨＺ的振荡频率。

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |1996年第2期|1-5|共5页
作者
雷培明; Willia; W;
展开▼
作者单位

美国Notre;

Dame大学电机工程系;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类数字集成电路、逻辑集成电路;
关键词
InGaAs; AlAs; 双势垒RTD; 逻辑集成电路;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 磁隧穿振荡研究GaAs／AlAs双势垒结构中的Γ—X电子态混合 [J] . 刘剑 ,李月霞 . 红外与毫米波学报 . 1996,第002期
2. AlAs／GaAs双势垒量子共振隧穿二极管 [J] . 陈培杖 ,李祖华 ,徐菊仙 . 稀有金属 . 1994,第4期
3. 子阱及非对称势垒对GaN RTD电学特性的影响 [J] . 苏娟 ,谭为 ,高博 . 太赫兹科学与电子信息学报 . 2017,第005期
4. 子阱及非对称势垒对GaN RTD电学特性的影响 [J] . 苏娟1 ,谭为1 ,高博2 . 太赫兹科学与电子信息学报 . 2017,第005期
5. 势阱势垒宽度对GaAs/AlGaAs对称DBS RTD NDR特性的影响 [J] . 孟晓 ,王彬 ,张海鹏 . 电子与封装 . 2015,第003期
6. 利用ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ双势垒结构测量二维电子朗通态密度的新方法 [C] . 宋爱民 . 中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 . 1993
7. GaN基双势垒多谐RTD器件的研究 [A] . 白建玲 . 2019

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号