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离心倾液法与初晶Si的生长

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本文首次提出了一种研究晶体生长的新方法———离心倾液法。用该方法获得了过共晶Ａｌ－Ｓｉ合金初晶的Ｓｉ的生长形貌，发现了初晶Ｓｉ存在位错台阶生长机制，并且，借助该生长机制成功地解释了初晶Ｓｉ的分枝和初晶Ｓｉ包裹共晶组织的形成机理。此外，观察到了共晶体包裹初晶Ｓｉ生长的过程。

著录项

来源
《人工晶体学报》 |1998年第1期|94-97|共4页
作者
王渠东; 于文江; 金俊泽;
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作者单位

上海交通大学材料科学与工程学院;

大连理工大学铸造工程研究中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类硅Si;
关键词
离心倾液法; 固液界面; 初晶硅; 硅; 晶体生长;

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