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水晶中三方偏方面体单形的结晶习性

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摘要

本文根据人工水晶的实验资料,研究了三方偏方面体结晶方位多变性的原因,通过对该单形的深入剖析,使晶体内部结构与表形特征得到了由表及里的联系,并且从生长物理、化学条件入手,结合生长基元的结构特征,讨论了正、负三方偏方面体的形成机理。

著录项

来源
《人工晶体学报》 |1990年第4期|312-319|共8页
作者
仲维卓; 华素坤; 施尔畏; 路治平;
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作者单位

中国科学院上海硅酸盐研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类硅Si;
关键词
水晶; 结晶习性; 共轭螺旋结构; SiO2;

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